私たちについて
江西誉鴻錦材料科技有限公司
江西誉鴻錦材料科技有限公司は第3世代化合物半導体材料である窒化ガリウム（GaN）シリーズ材料の開発製造と応用に従事している。二十数年来GaN材料エピタキシャル、電子デバイス、光電デバイスとデバイスパッケージなどの研究開発と生産に専念し、堅固な理論基礎と豊富な実戦経験を持ち、窒化ガリウムエピタキシャル、デバイス製造とパッケージなどの分野の核心技術を掌握し、当社のGaN材料エピタキシャルとデバイスの性能は世界先進レベルに達した。会社の主な製品は高性能ショットキーダイオード障壁（SBD）、高電子移動度トランジスタ（HEMT）、無線周波/電力増幅器（RFPA）、深紫外発光ダイオード（UVC-LED）などがあり、これらの製品は新エネルギー自動車、データセンター、スーパーコンピュータセンター、5 G通信及び殺菌消毒などの分野で広く使用されている。江西誉鴻錦材料科技有限公司は窒化ガリウム電子デバイスとハイエンド光電デバイス分野の「中国智造」の実現に力を入れる！
会社概要
企業のメリット
コアチーム
名誉資質
エピタキシャル
先進的なMOCVDエピタキシャルデバイスを備え、次のことを提供できます。
●4”／6”／8”インチシリコン基／炭化ケイ素基／サファイア基などのガリウム窒化エピタキシャルシート、
●650 V/900 V/1200 V各種破壊電圧仕様エピタキシャルシート、
●5 G/6 G無線周波数エピタキシャルシート、
●空乏型、pGaN強化型及び各種カスタム構造エピタキシャルシート、
・エピタキシャルシートの厚さ2 ~ 6ミクロン、不均一性<土3%;.
●エピタキシャルシートの反り<30ミクロン;
●エピタキシャルシート2 DEG電子濃度>8 E 12 cm−2、
●エピタキシャルシートの電子移動度>1800 cm 2/V・s、
チップ
GAN基のデバイスの研究開発と生産能力を備え、チップの設計から加工まで完全なシステムを形成している。GaNの低損傷ドライエッチング技術、光学増透膜と高反射膜の膜系設計及び製造技術、多層金属膜の沈殿及び側壁保護技術、フォトマスク版の最適化設計及びフォトマスクの断面成形技術、各種不動態化膜の低損傷製造及びパターン化技術、完全な青色光、高A成分のUVC一LED製造技術、GaNベース検出器、レーザなどのデバイス作製技術、GaN基の二端及び三端デバイスの開発及び微細加工技術。
カプセル化
先進的な集積回路製造と技術サービスは、設計シミュレーション、技術開発、製品認証、ウエハ中測定、ウエハ級中道パッケージ試験、システム級パッケージ試験、チップ製品試験を含む全方位のチップ製品製造ワンストップサービスを提供する。
・無機パッケージ・セラミックパッケージ・金属パッケージ
高集積度を備えたウェハレベルパッケージ（WLP）、2.5 D/3 Dパッケージ、システムレベルパッケージ（SiP）、高性能フリップチップパッケージと先進的なワイヤボンディング技術
4つのメリット
チームのメリット
ノーベル賞受賞者、アカデミー会員、千人などのトップクラスの専門家を含む優れた技術チームがあります。研究開発、生産技術、製品応用などには明らかな開発者の優位性がある。
開発上の利点
GaN PA小ロット製品があります。量産化されれば、性能とコストの面で優位に立つ。
設備の優位性
日本大陽日酸株式会社が製造したMOCVD設備は高性能窒化ガリウム材料を成長させることができ、
輸入設備一式。
販売上のメリット
大口の意向があり、すでに国内の大手通信機器メーカーと共同開発を行っている。
プレスセンター
会社ニュース
お客様に本を下げて効果を高める全過程、多次元工事コンサルティングサービスを提供します。
業界ニュース
各界の同僚と手を携えて前進し、同舟で協力し、中国の工事コンサルティングに属する新時代を切り開きたい！
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ニュースの動き
第3世代半導体とは、炭化ケイ素や窒化ガリウムに代表されるワイドバンドギャップ半導体であり、高周波、高効率、高出力、高耐圧、高温耐性、耐放射線性などに優れた優れた性能を有しており、高耐電圧、耐放射線性を備えた半導体です。省エネルギー、排出削減、インテリジェント製造、情報セキュリティ、その他の国家戦略上の主要なニーズは、新世代モバイル通信、新エネルギー自動車、高品質技術の独立した革新と開発、変革とアップグレードをサポートする主要なコア材料と電子部品です。
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ニュースの動き
窒化ガリウムは、化学式 GaN の無機物質です。窒素とガリウムの化合物です。直接バンドギャップを持つ半導体です。1990 年以来、発光ダイオードで一般的に使用されています
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ニュースの動き
MEMS センサーの成功は主に、SIP (システム イン パッケージ)、WLP (ウェーハ レベル パッケージング)、3 次元シリコン スルー ビア (TSV) およびその他の技術を含むパッケージング技術に依存します。スタッキング技術により、小型センサーの機械部品とその他のマイクロエレクトロニクス部品が統合され、さまざまな用途に応じてさまざまなパッケージング形式が選択されます。
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ニュースの動き
パワーアンプの信頼性をどのように設計し、どのように行うかは、多くの技術者が常々抱いている疑問ですが、パワーアンプなどのアクティブ増幅回路では、性能指標よりも動作の信頼性が重要な場合があります。パワーアンプの信頼性を上手に設計する方法をご紹介します。
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ニュースの動き
電子部品の中でもダイオードは、2つの電極を持ち、電流を一方向にのみ流す素子で、整流機能として多くの用途に使われています。バラクタ ダイオードは、電子的に調整可能なコンデンサとして使用されます。
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ニュースの動き
江西省玉紅金の第3世代半導体チップ全産業チェーンプロジェクトは、深セン玉紅金新技術提携（有限責任組合）によって投資されており、主にMOCVDエピタキシャル成長と高品質窒化ガリウム（GaN）電子材料およびハイエンドオプトエレクトロニクス材料テープのデバイスに従事しています。モジュールの研究開発と製造を行っています。
パートナーのお客様
信頼できるパートナー、私たちとの協力はきっとあなたを楽にすることができます。
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