ショットキーダイオードメータ

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江西省玉紅金の第3世代半導体チップ全産業チェーンプロジェクトは、深セン玉紅金新技術提携（有限責任組合）によって投資されており、主にMOCVDエピタキシャル成長と高品質窒化ガリウム（GaN）電子材料およびハイエンドオプトエレクトロニクス材料テープのデバイスに従事しています。モジュールの研究開発と製造を行っています。この材料は、新エネルギー自動車、データセンター、スーパーコンピューティングセンター、5G通信分野で広く使用されています。プロジェクトの総投資額は50億元で、第1期投資額は9億元で、完成後は年間生産能力60万個、年間生産額30億元となる。第二期は41億元を投資し、完成後は年間生産能力300万個、年間生産額100億元となり、上流と下流の産業チェーン1000億元を刺激することができる。Jiangxi Yuhongjin 技術チームのメンバーは、RF/パワーショットキーダイオード (SBD) や高電子移動度トランジスタ (HEMT) などの GaN 電子デバイスの研究開発に 20 年以上注力してきており、豊富なプロセス経験と熟練した技術を持っています。窒素 GaNエピタキシー、デバイス作製、パッケージング分野のコア技術は世界最先端レベルに達しています。

同時に、UVC-LEDおよびGaN青緑色レーザーの研究開発・生産においては、日本の大陽日酸株式会社のMOCVD装置を導入し、ノーベル賞受賞コンサルタント2名（天野博教授、天野博教授）を迎えました。中村修二教授）、中国科学院と日本の有名企業研究機関の20人以上の著名な専門家、および材料とデバイスの分野で30年以上の経験を持つチームが技術サポートを提供します。Yuhongjin はすでに、エピタキシャル生産、デバイスのテープアウト、チップのパッケージング、および 4 ～ 6 インチに対応する窒化ガリウム電子材料のテストの能力を備えています。江西裕紅進チップテクノロジー有限公司は、窒化ガリウム電子デバイスとハイエンド光電子デバイスの分野で「中国のインテリジェント製造」の実現に全力で取り組んでいきます。

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